강의계획서
| 교과목코드 | IG262009 | 교과목명 | 차세대 반도체 소자 특론 (TCAD) |
|---|---|---|---|
| 강의학과 | 인공지능융합학과 | 교수 | 명일호 |
| 교수소속 | 전기전자공학부 전자공학전공 | 이수학년 | |
| 과목구분 | 과정구분 | 석·박사공통 | |
| 이메일 | myoung2212@mju.ac.kr | 전화번호 |
| 주차 | 주제 |
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| 1주차 | TCAD의 구성과 활용 분야, 소자·공정 시뮬레이션의 기본 흐름, 구조 생성, 메시 설정, 물리 모델 및 해석 결과의 신 |
| 2주차 | 이동도, 재결합, 밴드갭 축소, 양자 보정, 터널링, 열 발생 모델의 이해 및 수치해석 조건 설정 |
| 3주차 | MOSFET 구조 및 동작 원리, Id–Vg·Id–Vd 특성, 문턱전압, Subthreshold Swing, 이동도 및 직렬저항 분석 |
| 4주차 | DIBL, 채널 길이 변조, Punch-through, GIDL, 누설전류 및 소자 미세화에 따른 성능 저하 분석 |
| 5주차 | FinFET, GAA, Nanosheet, CFET 구조의 전기적 특성 비교 및 구조·공정 변수에 따른 성능 최적화 |
| 6주차 | DRAM 셀 구조와 동작 원리, BCAT·RCAT·VCT 구조, 셀 트랜지스터의 누설전류와 문턱전압 특성 분석 |
| 7주차 | GIDL, Junction Leakage, Floating Body Effect, 보유시간 및 리프레시 특성에 영향을 미치는 주요 인자 분석 |
| 8주차 | Logic·DRAM 소자 해석 내용 평가, 소자별 TCAD 프로젝트 주제 선정, 구조 및 시뮬레이션 조건 설계 |
| 9주차 | NAND Flash 구조, Program·Erase·Read 동작, Floating-Gate 및 Charge-Trap 소자의 전하 저장 원리 |
| 10주차 | Vertical Channel, Gate-All-Around 구조, 셀 간 간섭, 채널 전위, Program·Erase 특성의 TCAD 분석 |
| 11주차 | SONOS, FeFET, FeVNAND 소자의 동작 원리, 분극 및 트랩 모델, Memory Window와 신뢰성 특성 분석 |
| 12주차 | LDMOS 구조와 동작 원리, Drift 영역, RESURF, 항복전압과 온저항의 상충관계, 전계 분포 및 Snapback 분석 |
| 13주차 | AlGaN/GaN 이종접합, 2DEG 형성, Enhancement-mode 구조, Current Collapse, Trap 및 Dynamic On-resistance 분석 |
| 14주차 | LDMOS와 GaN 소자의 Self-heating, 열저항, 고전압 스트레스, 항복 및 신뢰성 특성의 전기-열 연계 해석 |
| 15주차 | Logic, DRAM, Flash, LDMOS 및 GaN 소자별 설계 변수 최적화 및 산업·연구 적용 가능성 토론 |
| 16주차 |